Components Electronic GA10SICP12-263 TO-263-7 Transistors Authorized Distributor
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Attributs
GA10SICP12-263Numéro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
TO-263-7Package / Case
Description:TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Package:Tube
FET Type:-
Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
GA10SICP12-263
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
TO-263-7
Description
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Package
Tube
FET Type
-
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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>= 3 100 pièce
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GA10SICP12-263
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