Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:80 MHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
