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Composants électroniques IPI45N06S4L08AKSA3 PG-TO262-3-1 Transistors Original One Stop Service

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Référence fabricant

IPI45N06S4L08AKSA3

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal N_55/60V

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO262-3-1

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPI45N06S4L08AKSA3
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal N_55/60V
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO262-3-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
45A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8,2 mOhms à 45 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 35 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4780 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±16V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
En vrac, Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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