Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:volatile
Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:8M à 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:SPI - E/S octales
