Composants électroniques Mémoire 134 VFBGA W97AH6NBVA2E En stock
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Attributs
SDRAM - LPDDR2-S4B mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:HSUL12
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR2-S4B mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
HSUL12
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
168 - 3 167 pièce
1,46 €
>= 3 168 pièce
0,7275 €
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W97AH6NBA2E
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