Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:8M à 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:90 µs, 1,35 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
