Composants électroniques mémoire 28 DIP FM1608B-PG Original
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
8K par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:130 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
8K par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
130 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
65 - 3 064 pièce
3,44 €
>= 3 065 pièce
1,72 €
Options
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