Composants électroniques Mémoire 32 Module DIP DS1250AB-70IND+ Original Service complet
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
11 - 3010 pièce
52,01 €
>= 3011 pièce
26,01 €
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