Composants électroniques Mémoire 441 TFBGA MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR BOM IC En stock
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Attributs
SDRAM - LPDDR5 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
768 million x 64Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
48 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:3,2 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:LVSTL
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
768 million x 64
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
48 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
3,2 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
LVSTL
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 500 - 4 499 pièce
14,94 €
>= 4 500 pièce
7,48 €
Options
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MT62F768M64D4EK 026 WT : TR
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