Composants électroniques Mémoire 556 TFBGA MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C BOM IC En stock
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
768 million x 64Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
48 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
768 million x 64
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
48 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
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MT53E768M64D4HJ 046 AIT : C
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