Composants électroniques Mémoire 8 VDFN Pad exposé EM064LXQADG13ES1T En stock
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Attributs
MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
8M à 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
8M à 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
580 - 3 579 pièce
18,76 €
>= 3 580 pièce
9,38 €
Options
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EM064LXQADG13ES1T : 13ES1T
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