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Composants électroniques Mémoire 8 VDFN à contacts apparents M10042040054X0PWAR Canal Fabricant

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Attributs

Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composant électronique Bom ServiceCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:54 MHz
Organisation de la mémoire:1M4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
1,71 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
54 MHz
Organisation de la mémoire
1M4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
4 000 - 6 999 pièce
4,58 €
>= 7 000 pièce
2,29 €

Spécification

M10042040054X0 GUERRE

Expédition

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