Composants électroniques Mémoire 8 WFDFN Pad exposé 24AA16T-E/MNY En stock
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Attributs
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Pièces et composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:400 kilohertz
Organisation de la mémoire:2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Pièces et composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
EEPROM
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
400 kilohertz
Organisation de la mémoire
2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
5 mètres
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
3 300 - 6 299 pièce
0,2084 €
>= 6 300 pièce
0,1063 €
Options
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24AA16T E/MN
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