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Composants électroniques Mémoire 8 WFDFN Pad exposé CAT93C46VP2I-GT3 En stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), en vracType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Pièces et composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:2 MHz
Organisation de la mémoire:128 x 8, 64 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Microfil
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
1 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), en vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Pièces et composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
EEPROM
Tension D'alimentation
1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
2 MHz
Organisation de la mémoire
128 x 8, 64 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Microfil

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1567 - 4566 pièce
0,0815 €
>= 4567 pièce
0,0429 €

Expédition

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