Composants Mémoire électronique EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Distributeur agréé
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Attributs
SDRAM - LPDDR3 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
192 million x 128Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
24 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:800 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR3 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
192 million x 128
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
24 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
800 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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100 - 3 099 pièce
0,5583 €
>= 3 100 pièce
0,2792 €
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EDFP112A3PF GDTJ F D
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