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Composants électroniques Mémoire TO 236 3, SC 59, SOT 23 3 BQ2022DBZR En stock

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

EPROM-OTPTechnologie
Non volatileType de mémoire
32 octets x 4 pagesOrganisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT), en vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:2,65 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Fil unique

Caractéristiques du produit

Technologie
EPROM-OTP
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
32 octets x 4 pages
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
2,65 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT), en vrac
Interface mémoire
Fil unique

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 2 999 pièce
2,39 €
>= 3 000 pièce
1,59 €

Spécification

BQ2022DBZ

Expédition

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