Composants électroniques Mémoire TO 236 3, SC 59, SOT 23 3 BQ2022DBZR En stock
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Attributs
EPROM-OTPTechnologie
Non volatileType de mémoire
32 octets x 4 pagesOrganisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT), en vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:2,65 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Fil unique
Caractéristiques du produit
Technologie
EPROM-OTP
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
32 octets x 4 pages
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
2,65 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT), en vrac
Interface mémoire
Fil unique
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
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