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Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Turquie (Türkiye), Corée du Sud, Inde, Argentine

Composants électroniques : Module APTM20UM09SG, Transistors, Canal du Fabricant

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57,34 €
100-3 099 pièce
28,67 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

APTM20UM09SG

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTM20UM09SG
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 200V 195A MODULE
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
195A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
9 mOhms à 74,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
217 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
12300 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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