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Composants électroniques Module FT150R12KE3G_B4 Transistors en stock

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Référence fabricant

FT150R12KE3G_B4

Marque nom

Original

Description

IGBT MOD 1200V 200A 700W

Point d'origine

China

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Module

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FT150R12KE3G_B4
Marque nom
Original
Description
IGBT MOD 1200V 200A 700W
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
200 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
5 mA
Puissance Max
700 W
Type IGBT
-
Configuration
Inverseur Triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
10,5 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
-
Configuration
Onduleur triphasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
200 A
Puissance - Max
700 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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Avertissement/Disclaimer
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