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Composants électroniques NVVR26A120M1WSB Module 15-PowerDIP Transistors Original Service complet

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235,55 €
100-3 099 pièce
117,78 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

NVVR26A120M1WSB

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module 15-PowerDIP (2,441", 62,00 mm)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVVR26A120M1WSB
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module 15-PowerDIP (2,441", 62,00 mm)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1 kW (Tj)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
400A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,6 mOhms à 400 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,2 V à 150 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,75 µC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
31700pF à 800V
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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