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Composants électroniques PG-HSOF-5-4 IAUA250N08S5N018AUMA1 Transistors d'origine

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Référence fabricant

IAUA250N08S5N018AUMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOF-5-4

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IAUA250N08S5N018AUMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOF-5-4
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
250A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,8 mOhm à 100 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,8 V à 150 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8715 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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