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Composants électroniques PG-TO251-3-342 IPS80R1K2P7AKMA1 Transistors Original One Stop Service

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Référence fabricant

IPS80R1K2P7AKMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO251-3-342

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPS80R1K2P7AKMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO251-3-342
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOS P7
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
800 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4,5 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,2 ohms à 1,7 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 80 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF à 500 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
En vrac, Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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