Composants électroniques S80KS2563GABHB020 24 VBGA Mémoire en stock
Note de la boutique :4.6
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Attributs
PSRAM (Pseudo-SRAM)Technologie
volatileType de mémoire
32Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:SPI - E/S octales
Caractéristiques du produit
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
SPI - E/S octales
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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S80KS2563GABH020
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