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Composants électroniques TO-220-3 IXFP130N10T Transistors BOM IC en stock

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Référence fabricant

IXFP130N10T

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXFP130N10T
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
HiPerFET, Trench
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
130A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
9,1 mOhms à 25 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5080 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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