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Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Corée du Sud, Inde, Argentine, Liban

Composants Transistors Électroniques 8-SMD, Fils Plats QH8ME5TCR Canal Fabricant

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0,742 €
100-3 099 pièce
0,371 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

QH8ME5TCR

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SMD, broches plates

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
QH8ME5TCR
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SMD, broches plates
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,1 W (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
202 mΩ à 2 A, 10 V, 270 mΩ à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2,8 nC à 10 V, 19,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
90pF à 50V, 590pF à 50V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs