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Composants électroniques Transistors 8-SolC NTMSD3P102R2G Original

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100-3 099 pièce
0,416 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

NTMSD3P102R2G

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTMSD3P102R2G
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOIC
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
FETKY
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
Diode Schottky (isolée)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2,34 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
85 mOhms à 3,05 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 16 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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