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Composants électroniques Transistors PG-SOT223-4-21 BSP129L6906 En stock

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Référence fabricant

BSP129L6906

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance canal N

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-SOT223-4-21

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSP129L6906
Marque nom
Original
Description
MOSFET de puissance canal N
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-SOT223-4-21
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
SIPMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
240 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
350mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6 ohms à 350 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5,7 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
0V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N, mode de déplétion
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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