Components Electronic Transistors PG-TO263-7-12 IMBG120R008M2HXTMA1 Manufacturer Channel
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Attributs
Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
IMBG120R008M2HXTMA1Numéro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
PG-TO263-7-12Package / Case
Description:SIC DISCRETE
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Caractéristiques du produit
Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
IMBG120R008M2HXTMA1
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
PG-TO263-7-12
Description
SIC DISCRETE
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
28,90 €
>= 3 100 pièce
14,46 €
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IMBG120R008M2HXTMA1
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