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Composants électroniques Transistors PQFN Single Die IRFH5302DTR2PBF En stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

IRFH5302DTR2PBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

PQFN (5x6) Single Die

Température de fonctionnement

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFH5302DTR2PBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
PQFN (5x6) Single Die
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEW
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
29A (Ta), 100A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3635 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Package
Cut Tape (CT)
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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