Attributs
IGT65R035D2ATMA1Numéro de Type
TransistorOptiMOSType
Infi neonMarque nom
Through HoleType de paquet
IGT65R035D2ATMA1Description
ORIGINALPoint d'origine
Package/Boîte:PG-HSOF-8
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Série:OptiMOS 6
d/c:Newest
Application:But général
Type de Fournisseur:Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant
Référence croisée:Transistor
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
Collecteur de courant (Ic) (Max):STANDARD
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):STANDARD
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:STANDARD
Courant-coupure de collecteur (Max):STANDARD
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:STANDARD
Puissance Max:STANDARD
Fréquence-Transition:STANDARD
Type de Support:STANDARD
Résistance-socle (R1):STANDARD
Résistance-socle émetteur (R2):STANDARD
FET Type:N-Channel
FET Caractéristique:Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):75V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:11mOhm @@ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @@ 250ua
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @@ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @@ 25V
Fréquence:STANDARD
Facteur de bruit:STANDARD
Tension Nominale:STANDARD
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10V
Vgs (Max):±20V
Type de montage:Through Hole
