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Transistors FETs MOSFET DMHT6016 DMHT6016LFJ-13 Originaux, Matrice MOSFET 60V 14.8A (Ta) Montage en Surface V-DFN5045-12

Name: Transistors Fets Mosfet Dmht6016 Dmht6016lfj-13 Originaux,Matrice Mosfet 60v 14.8a (ta) Montage En Surface V-dfn5045-12 - Buy Product on Alibaba.com
Brand: IC ONLINE CO., LIMITED
SKU: 1601930529059
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Caractéristiques

Référence fabricant

DMHT6016LFJ-13

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

Montage en Surface

Description

Réseau de MOSFET 60V 14,8A (Ta) Montage en Surface V-DFN5045-12

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant

DMHT6016LFJ-13

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

Montage en Surface

Description

Réseau de MOSFET 60V 14,8A (Ta) Montage en Surface V-DFN5045-12

Point d'origine

original

Package/Boîte

12-VDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Série

Code date de fabrication

nouveau

Application

Référence croisée

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Courant-coupure de collecteur (Max)

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Type

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Marque

Original

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3-5 jours

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Shenzhen

Température de fonctionnement

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