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Transistors DMN62D1SFBWQ-7B U-DFN1006-3/SWP – Achetez des composants électroniques en ligne, originaux

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Référence fabricant

DMN62D1SFBWQ-7B

Marque nom

Original

Description

CI linéaire

Point d'origine

China

Package/Boîte

U-DFN1006-3/SWP (Type UX)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN62D1SFBWQ-7B
Marque nom
Original
Description
CI linéaire
Point d'origine
China
Package/Boîte
U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
538mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,4 ohms à 40 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,3 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
43 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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