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MOSFET DMN65D8LDW 2N-CH 60V 0.18A à canal N, composants électroniques en stock, TSSOP-6

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Caractéristiques

Numéro de Type

DMN65D8LDW

Type de montage

Montage en Surface

Point d'origine

China

Marque nom

Original

Application fonctionnelle

Canal N

Emballage

6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)

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Caractéristiques du produit

Numéro de Type
DMN65D8LDW
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Canal N
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)
type4
FET, Réseaux de MOSFET
Description
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Caractéristique FET
Porte logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
180mA
Rds On (Max) à Id, Vgs
6Ohm à 115mA, 10V

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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