Transistor MOSFET canal P DMP1200UFR4-7 12 V 2A (Ta) 480mW (Ta) SMD X2-DFN1010-3 DMP1200UFR4-7
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Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
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Attributs
STANDARDType
STANDARDApplication
STANDARDType de paquet
Montage en SurfaceType de Support
STANDARDMédias Disponibles
480 mW (à)Puissance Max
Numéro de Type:DMP1200UFR4-7
Marque nom:Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Description:STANDARD
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:3-XFDFN (version française)
d/c:STANDARD
FET Type:Canal P
Vidange à la tension de la Source (Vdss):12V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:2A (à)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:100 mOhms à 2 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id:1 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:5,8 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:514 pF à 5 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):1,5 V, 4,5 V
Vgs (Max):±8 V
Type de montage:STANDARD
Caractéristiques du produit
Type
STANDARD
Application
STANDARD
Type de paquet
STANDARD
Type de Support
Montage en Surface
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
480 mW (à)
Package/Boîte
3-XFDFN (version française)
Description
STANDARD
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
514 pF à 5 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5,8 nC à 4,5 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2A (à)
FET Type
Canal P
Marque nom
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Numéro de Type
DMP1200UFR4-7
Point d'origine
Guangdong, China
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
100 mOhms à 2 A, 4,5 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,5 V, 4,5 V
Type de montage
STANDARD
Vgs (Max)
±8 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1 V à 250 µA
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12V
d/c
STANDARD
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vente Unités
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Transistor MOSFET canal P DMP1200UFR4-7 12 V 2A (Ta) 480mW (Ta) SMD X2-DFN1010-3 DMP1200UFR4-7











