





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
En vrac, plateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle














