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Discrete Semiconductor Products 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads NXV65HR82DZ1 Buy Online Electronic Components BOM IC In Stock

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Attributs

NXV65HR82DZ1Numéro de Type
À travers le trouType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
Discrete SemiconductorApplication fonctionnelle
16-SSIP Exposed Pad, Formed LeadsPackage / Case
Description:AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Package:Tube
Type:MOSFET
Configuration:H-Bridge
Current:26 A
Voltage - Isolation:5000Vrms

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
NXV65HR82DZ1
Type de montage
À travers le trou
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Discrete Semiconductor
Package / Case
16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Description
AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Package
Tube
Type
MOSFET
Configuration
H-Bridge
Current
26 A
Voltage - Isolation
5000Vrms

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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>= 3100 pièce
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