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Produits semi-conducteurs discrets : Transistors FET, MOSFET, MOSFET SiC simple, MOSFET SiC 1000V 65 mOhm G3, MOSFET SiC TO-247-4 C3M0065100K

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Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

C3M0065100K

Type

MOSFET

Marque nom

Original factory

Type de paquet

TO-247-4

Description

MOSFET SiC 1000V 65 mOhm G3 MOSFET SiC TO-247-4

Point d'origine

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
C3M0065100K
Type
MOSFET
Marque nom
Original factory
Type de paquet
TO-247-4
Description
MOSFET SiC 1000V 65 mOhm G3 MOSFET SiC TO-247-4
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-247-4
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Série
C3M
Code date de fabrication
23+
Application
Énergie renouvelable/Chargeurs de batteries pour véhicules électriques
Puissance Max
113,5 W (Tc)
FET Caractéristique
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1000 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
35 A(Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
15V
Vgs (th) (Max) @ Id
78 mOhms à 20 A 15 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3,5 V à 5 mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
35nC@15V
Type de montage
-2-Through Hole, Montage en Surface
Catégories
Composants électroniques
État
Tout neuf et original 100%
Service Technologique Angel
Offrir un service complet pour les composants électroniques.
Produits principaux ICschip
Circuits intégrés, connecteurs, relais, fusibles, résistances, condensateurs

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
17X17X9 cm
unique poids brut
0.5 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs