find similar
HK STORY ENTERPRISE LIMITED logo
HK STORY ENTERPRISE LIMITED
HK2 ans
4.7/5(33)
Note de la boutique
≤2h
Temps de réponse
≥97%
Taux de livraison dans les délais
9%
Taux de réachat

Marchés principaux: Malaisie, Italie, Papouasie-Nouvelle-Guinée, États-Unis d'Amérique, Australie

logo
-5% dès 1 800 € | -8% dès 4 400 € | -10% dès 8 700 €
arrow-logo

Transistors semi-conducteurs discrets CGHV96100F2 RF MOSFET HEMT 40V 440210 Stocks électroniques

Aucun avis pour l'instant
1 885,01 €
Quantité minimale : 1 unité
Prix de l’échantillon :1 885,01 €
Sélectionner

Spécification

CGHV96100F2

Caractéristiques

Référence fabricant

CGHV96100F2

Type

MOSFET

Marque nom

Story

Type de paquet

Montage en Surface

Description

RF MOSFET HEMT 40V 440210

Point d'origine

China

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Retour facile

Effectuez des retours locaux gratuits pour les défauts sur les achats éligibles

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CGHV96100F2
Type
MOSFET
Marque nom
Story
Type de paquet
Montage en Surface
Description
RF MOSFET HEMT 40V 440210
Point d'origine
China
Package/Boîte
CGHV96100F2
Température de fonctionnement
-40°C à +150°C
Série
cghv HEMT
Code date de fabrication
AUTRE
Application
Systèmes radar
Type de Fournisseur
Agence
Référence croisée
fiche technique
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
CGHV96100F2
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
CGHV96100F2
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
CGHV96100F2
Courant-coupure de collecteur (Max)
CGHV96100F2
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
CGHV96100F2
Puissance Max
CGHV96100F2
Fréquence-Transition
CGHV96100F2
Résistance-socle (R1)
CGHV96100F2
Résistance-socle émetteur (R2)
CGHV96100F2
FET Type
GaN HEMT
FET Caractéristique
CGHV96100F2
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
CGHV96100F2
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
V
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
V
Vgs (th) (Max) @ Id
V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
V
Fréquence
V
Courant nominal (ampères)
12A
Facteur de bruit
CGHV96100F2
Alimentation-Sortie
CGHV96100F2
Tension Nominale
CGHV96100F2
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
CGHV96100F2
Vgs (Max)
CGHV96100F2
Type IGBT
CGHV96100F2
Configuration
CGHV96100F2
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
CGHV96100F2
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
CGHV96100F2
Entrée
CGHV96100F2
Thermistance NTC
CGHV96100F2
Tension-panne (V (BR) GSS)
CGHV96100F2
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
CGHV96100F2
Vidange de courant (Id)-Max
CGHV96100F2
Tension-coupure (VGS off) @ Id
CGHV96100F2
Résistance-RDS (On)
CGHV96100F2
Tension-Sortie
CGHV96100F2
Tension-décalage (Vt)
CGHV96100F2
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
CGHV96100F2
Courant-vallée (Iv)
CGHV96100F2
Courant-Crête
CGHV96100F2
Transistor Type
CGHV96100F2
Type de montage
Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
24X18X16 cm
unique poids brut
0.900 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs