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Transistors E2 MWI50-12E7 Composant électronique en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

MWI50-12E7

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT 1200V 90A 350W E2

Point d'origine

China

Package/Boîte

E2

Température de fonctionnement

-40°C ~ 125°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MWI50-12E7
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT 1200V 90A 350W E2
Point d'origine
China
Package/Boîte
E2
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
90 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
800 µA
Puissance Max
350 W
Type IGBT
NPT
Configuration
Inverseur Triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
3,8 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Non
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Boîte
Type d'IGBT
NPT
Configuration
Onduleur triphasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
90 A
Puissance - Max
350 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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