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Composants électroniques Transistors E3M0075120D TO-247-3 Originaux

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Référence fabricant

E3M0075120D

Marque nom

Original

Description

FET SiC automobile 1200 V 75 mΩ

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
E3M0075120D
Marque nom
Original
Description
FET SiC automobile 1200 V 75 mΩ
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
Série E
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
32A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
97,5 mOhms à 17,9 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 5 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF à 1 000 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
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