Composants électroniques de mémoire EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR 134 VFBGA en stock
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Attributs
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR2 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Organisation de la mémoire:64Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR2 mobile
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
533 MHz
Organisation de la mémoire
64Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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100 - 3 099 pièce
0,5116 €
>= 3 100 pièce
0,2558 €
Options
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EDB2432B4MA 1DIT FR TR
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