Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR2 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Organisation de la mémoire:256 millions x 64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
