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EDFP112A3PB-JD-F-D TR BOM IC DRAM 24GBIT PARALLÈLE 933MHZ EDFP112A3PB-JD-F-D TR

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0,1671-1,85 €
Quantité minimale : 10 pièce

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Caractéristiques

Marque nom

EDFP112A3PB-JD-F-D TR

Référence fabricant

EDFP112A3PB-JD-F-D TR

Type

Volatil

Type de montage

-

Point d'origine

Taiwan, China

Description

CI DRAM 24Gbit parallèle 933 MHz

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Caractéristiques du produit

Type de montage
-
Type
Volatil
Référence fabricant
EDFP112A3PB-JD-F-D TR
Marque nom
EDFP112A3PB-JD-F-D TR
Point d'origine
Taiwan, China
Description
CI DRAM 24Gbit parallèle 933 MHz
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Fonction
Mémoire
Application
Mémoire
Température de fonctionnement
-30°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
-
Série
-
Caractéristiques
-
Référence croisée
-
Chimie de la batterie
Norme
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 20 V
Format de mémoire
DRAM
Taille de la mémoire
24Gbit
Organisation de la mémoire
192M x 128
Interface mémoire
Parallèle
Fréquence d'horloge
933 MHz
Temps de cycle d'écriture - Page de mot
-
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation
1.14V ~ 1.95V
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR3
Garantie
Un an

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
1.000 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

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