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Composants électroniques, module 26-PowerDIP, transistors NXH50C120L2C2ESG, distributeur agréé

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Référence fabricant

NXH50C120L2C2ESG

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT, CIB 1200 V, 50 A IG

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module 26-PowerDIP (1,199", 47,20 mm)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NXH50C120L2C2ESG
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT, CIB 1200 V, 50 A IG
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module 26-PowerDIP (1,199", 47,20 mm)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
50 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
250 µA
Puissance Max
20 mW
Type IGBT
-
Configuration
Inverseur triphasé avec frein
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
11,897 nF à 20 V
Entrée
Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type d'IGBT
-
Configuration
Onduleur triphasé avec frein
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50 A
Puissance - Max
20 mW
Entrée
Redresseur en pont triphasé

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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