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Composants électroniques : Transistors 36-QFN à pad exposé B11G3338N81DYZ – Service complet d'origine

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36-QFN avec pad exposé

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
B11G3338N81DYZ
Marque nom
Original
Description
RF MOSFET LDMOS 36QFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
36-QFN avec pad exposé
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
3,3 GHz ~ 3,8 GHz
Courant nominal (ampères)
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
28 V
Configuration
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
LDMOS
Configuration
-
Fréquence
3,3 GHz ~ 3,8 GHz
Gain
34dB

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