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Composants électroniques 4-SMD, transistors à fils plats NE3516S02-T1C-A originaux

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Référence fabricant

NE3516S02-T1C-A

Marque nom

Original

Description

MOSFET RF GAAS HJ-FET 2V S02

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-SMD, broches plates

Série

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NE3516S02-T1C-A
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF GAAS HJ-FET 2V S02
Point d'origine
China
Package/Boîte
4-SMD, broches plates
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
12GHz
Courant nominal (ampères)
60mA
Alimentation-Sortie
165mW
Tension Nominale
4 V
Configuration
N-Channel
Type de montage
Standard
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaAs HJ-FET
Configuration
Canal N
Fréquence
12GHz
Gain
14dB

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vente Unités
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1X1X1 cm
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