Composants électroniques 44 TSOP R1RP0416DSB-2PI # B0 Memory Original Service complet
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Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256Kx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5542 €
>= 3 100 pièce
0,2771 €
Options
SélectionnerSpécification
R1RP0416DSB2PI # B00
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