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Composants électroniques 8-SMD, transistors QS8M51HZGTR à fils plats en stock

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Référence fabricant

QS8M51HZGTR

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SMD, broches plates

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
QS8M51HZGTR
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SMD, broches plates
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,1 W (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2A (Ta), 1.5A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
325 mΩ à 2 A, 10 V, 470 mΩ à 1,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4,7 nC à 5 V, 17 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
290pF à 25V, 950pF à 25V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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