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Composants électroniques 8-SMD, transistors à fils plats SI5935DC-T1-E3, service complet original

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Caractéristiques

Référence fabricant

SI5935DC-T1-E3

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SMD, broches plates

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI5935DC-T1-E3
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SMD, broches plates
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,1 W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
86 mOhms à 3 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8,5 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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