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Composants électroniques, puces IPW60R090CFD7XKSA1 PG-TO247-3, transistors d'origine

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Référence fabricant

IPW60R090CFD7XKSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO247-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPW60R090CFD7XKSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
25A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
90 mOhms à 11,4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 570 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2103 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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