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Composants électroniques, puces MRF581G, transistors céramiques Micro-X, BOM IC en stock

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Référence fabricant

MRF581G

Marque nom

Original

Description

TRANS RF NPN 18V 5GHZ MICRO-X

Point d'origine

China

Package/Boîte

Céramique Micro-X (84C)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MRF581G
Marque nom
Original
Description
TRANS RF NPN 18V 5GHZ MICRO-X
Point d'origine
China
Package/Boîte
Céramique Micro-X (84C)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
200mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
18V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 à 50 mA, 5 V
Puissance Max
1.25W
Facteur de bruit
3 dB ~ 3,5 dB à 500 MHz
Transistor Type
NPN
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de transistor
NPN
Tension de claquage collecteur-émetteur
18V
Fréquence - Transition
5GHz
Puissance - Max
1,25 W
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
200mA

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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